उत्पाद परिचय

पीतल पानी हीटिंग मृत ब्लॉक पानी गिलास निवेश कास्टिंग भागों

H70 पीतल सामग्री का नाम: H70 पीतल (0.5 मिमी से अधिक या बराबर कठोर) ग्रेड: H70 C2600 मानक: राष्ट्रीय मानक GB/T 5231-2001 जापानी मानक JIS H3100:2006 अमेरिकी मानक ASTM B36/B36M: 2008

10% H 2SO4 माध्यम में, Ta कोटिंग और TaC/Ta कम्पोजिट कोटिंग के संक्षारण विभव E cor क्रमशः -0.428V और -0.39V थे, जो C17200 सब्सट्रेट (-0.540V) से 0.112V और 0.15 V अधिक थे। संक्षारण धारा घनत्व I cor क्रमशः 1.17 × 10-6 A/cm2 और 2.64 × 10-7 A/cm2 थे, जो सब्सट्रेट (1.73 × 10-4 A/cm2) की तुलना में लगभग दो से तीन क्रम परिमाण से कम हो गए थे, जो एक छोटी संक्षारण प्रवृत्ति और दर को दर्शाता है। Ta कोटिंग और TaC/Ta कम्पोजिट कोटिंग का इलेक्ट्रोड प्रतिबाधा मूल्य सब्सट्रेट की तुलना में अधिक है C17200 सब्सट्रेट की संक्षारण सतह की बाहरी परत ढीली होती है, और अनाज की सीमाएँ संक्षारण से गुजरती हैं। संक्षारण उत्पाद कॉपर ऑक्साइड है। टा कोटिंग और TaC/Ta कम्पोजिट कोटिंग की सतह संक्षारण आकृति विज्ञान, बिना संक्षारण वाली सतह की तुलना में थोड़ा परिवर्तन दिखाता है, जिसमें कोई संक्षारण उत्पाद या गड्ढे की घटना नहीं होती है। सतह एक घनी Ta2O5 पतली फिल्म है, जिसने सब्सट्रेट की तुलना में संक्षारण प्रतिरोध में सुधार किया है। H70 पीतल में उत्कृष्ट प्लास्टिसिटी और उच्च शक्ति, अच्छा काटने का प्रदर्शन, आसान वेल्डिंग है, और यह सामान्य संक्षारण के लिए प्रतिरोधी नहीं है, लेकिन टूटने का खतरा है। जटिल ठंडे खींचे गए और गहरे खींचे गए भागों, जैसे रेडिएटर आवरण, नाली, नालीदार पाइप, आवरण और गास्केट के लिए उपयोग किया जाता है।

20% H2SO4 माध्यम में, Ta कोटिंग और TaC/Ta कोटिंग के संक्षारण क्षमता E cor क्रमशः -0.39 V और -0.40 V थे, जो C17200 सब्सट्रेट की तुलना में 0.41 V और 0.42 V द्वारा सकारात्मक रूप से स्थानांतरित हो गए थे। संक्षारण धारा घनत्व I cor क्रमशः 8.23 ​​× 10-5 A/cm2 और 7.62 × 10-5 A/cm2 थे, जो सब्सट्रेट (2.5 × 10-4 A/cm2) की तुलना में लगभग एक क्रम के परिमाण से कम हो गए थे। Ta कोटिंग्स और TaC/Ta कम्पोजिट कोटिंग्स सब्सट्रेट की तुलना में अधिक प्रतिबाधा प्रदर्शित करती हैं, जो इलेक्ट्रोकेमिकल संक्षारण प्रक्रिया को धीमा कर देती हैं। C17200 सबस्ट्रेट का सतह संक्षारण गंभीर है, जिसमें तांबा ऑक्साइड जैसे संक्षारण उत्पादों का स्पष्ट अवक्षेपण होता है। Ta कोटिंग और TaC/Ta कोटिंग संक्षारण सतहों पर थोड़ी मात्रा में पिटिंग संक्षारण होता है। कोटिंग की सतह H2SO4 घोल द्वारा संक्षारण से कोटिंग के अंदरूनी हिस्से की रक्षा करने के लिए Ta2O5 फिल्म की एक परत होती है। रासायनिक संरचना: तांबा Cu: 68.5~71.5 जस्ता Zn: अवशिष्ट सीसा Pb: 0.03 से कम या बराबर निकल Ni: 0.5 से कम या बराबर लोहा Fe: 0.10 से कम या बराबर बेरिलियम Sb: 0.002 से कम या बराबर बिस्मथ Bi: 0.002 से कम या बराबर नोट: 0.3 से कम या बराबर (अशुद्धता) Ta कोटिंग और TaC/Ta समग्र कोटिंग में 10% H 2SO4 माध्यम की तुलना में 20% H 2SO4 माध्यम में अधिक गंभीर संक्षारण होता है निष्क्रियता फिल्म मोटी हो जाती है, और संक्षारक माध्यम की सांद्रता बढ़ने पर Ta कोटिंग और TaC/Ta मिश्रित कोटिंग नहीं उतरती। सतह पर एक स्थिर और सघन Ta2O5 पतली फिल्म बनती है, जो बेरिलियम कॉपर सब्सट्रेट के संक्षारण प्रतिरोध में सुधार करती है।

यांत्रिक गुण तन्य शक्ति σ b (MPa): 390 से अधिक या बराबर बढ़ाव दर δ 10 (%): 12 से अधिक या बराबर नोट: शीट धातु के तन्य यांत्रिक गुण नमूना आकार: मोटाई 0.5 से अधिक या बराबर

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